Создан транзистор-рекордсмен из нитрида галлия
Фото:
Кейсы

Создан транзистор-рекордсмен из нитрида галлия

Многие современные технологии, от смартфонов до носимых устройств, основаны на быстрой беспроводной связи. Передавать намного больше данных - очевидный путь повышения их производительности и возможностей.

Команда инженеров из американского Университета штата Делавэр разработала транзистор с высокой подвижностью электронов — устройство, которое усиливает электроток и управляет им при помощи нитрида галлия и нитрида иридия-алюминия в качестве барьера на экономичной кремниевой подложке, рассказывает EurekAlert.

Среди устройств такого типа этот транзистор обладает выдающимися свойствами — рекордно низким током утечки, рекордно высоким коэффициентом усиления тока (разницей между током, переданным во включенном и в выключенном состоянии) и рекордно высоким коэффициентом усиления по току частоты отсечки (указывает, сколько данных можно передать по широкому спектру частот).

Такой транзистор будет полезен для коммуникационных систем с повышенной пропускной способностью: при том же количестве тока он может справиться с большим напряжением и будет расходовать меньше энергии батареи.

Ученые намерены продолжить разработки транзистора и побить собственные рекорды, как по затратам энергии, так и по скорости. Они планируют использовать такие транзисторы в качестве усилителей мощности, которые особенно пригодятся для беспроводной коммуникации, а также в системах интернета вещей.

В этом году инженеры Германии разработали полевой транзистор на основе оксида галлия с пробивным напряжением 1,8 кВ и рекордной добротностью — 155 МВт на квадратный сантиметр. Это почти теоретический максимум для такого типа транзисторов.